化合物半導體元件開發技術
課程型態/ 實體
上課地址/ 工研院光復院區1館，實際地點以上課通知單為主
時數/ 6小時
起迄日期/ 2024/10/24~2024/10/24
聯絡資訊/ 黃鈺雯 03-5732961
報名截止日/ 2024/10/18
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課程介紹
化合物半導體如氮化鎵GaN及碳化矽SiC，兩種材料又被稱為寬能隙半導體；顧名思義，其能隙、工作溫度、頻率及功率密度等特性，皆優於目前的主流半導體材料矽(Si)，並以高頻通訊、高功率電力電子和發光照明等為主要應用 。隨著近年5G通訊以及低碳排的需求，由於氮化鎵(GaN)材料具有更高的功率密度與載子遷移率、以及更好的散熱性能，適合使用於高頻、高功率、抗輻射及高溫環境之應用，可滿足未來通訊、電源快充系統、電動車、再生能源等應用需求，因此帶動氮化鎵應用於射頻通訊與功率半導體之相關領域的發展趨勢。
本課程將講授化合物半導體之基礎原理以及長晶/磊晶、元件設計與相關製程，封裝測試等內容介紹，針對化合物半導體元件開發中關鍵要素進行說明，並且說明產業界在功率元件封裝與可靠度測試規範。本課程將從功率半導體/射頻/光達等應用領域介紹，介紹氮化鎵製程技術分析到元件特性/可靠度分析，進而到電力系統或射頻系統分析。
課程目標
1. 瞭解化合物半導體磊晶技術。
2. 學習化合物功率及射頻半導體元件之基本原理、設計與製程。
3. 掌握功率半導體封裝與測試技術。
4. 瞭解化合物半導體元件之具體應用。
5. 學習氮化鎵從基板成長、元件製作到封裝以及系統應用。
6. 瞭解氮化鎵元件架構/製程對於特性的關係。
7. 瞭解氮化鎵應用於電力系統的架構。
8. 瞭解氮化鎵應用於射頻領域的架構與需求。
課程大綱
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日期 |
內容 |
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化合物半導體元件開發技術 |
1. 化合物半導體發展趨勢(SiC/GaN) 2. 化合物半導體元件開發(磊晶、元件設計、關鍵製程技術) 3. 化合物半導體之功率元件封裝與可靠度測試規範 |
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氮化鎵材料關鍵技術與應用 |
1. 氮化鎵(GaN)材料之商業化發展趨勢(功率半導體/射頻元件/光達…) 2. 氮化鎵元件開發關鍵技術(基板/磊晶/元件設計/關鍵製程技術) 3. 功率元件特性與可靠度分析 4. 功率模組封裝技術 5. 射頻元件特性與可靠度分析 |
課程對象
化合物半導體研發、製程、品保相關從業人員
講師簡介
顏 講師
現職：財團法人工業技術研究院 電光系統所 化合物半導體與功率系統技術組 副組長
專長：半導體元件物理、化合物半導體磊晶與元件製程技術
陳 講師
現職：財團法人工業技術研究院 電光系統所 寬能隙半導體元件
開發部 專案副理
專長：半導體元件物理/半導體製程技術/元件可靠度分析
課程資訊
1. 課程地點：工研院光復院區1館，實際地點以上課通知單為主
2. 課程日期：113年10月24日 (四)
3. 課程時間：9:30-16:30 (6小時)
4. 報名方式：線上報名
5. 聯絡資訊：黃小姐 03-5732961
課程費用
原價：每人$5,400元整
早鳥優惠價：開課前21天報名 每人＄4,900元整
團體報名價：同單位3人(含以上) 每人＄4,600元整
繳費方式
繳費方式為信用卡、ATM轉帳，無法受理現場報名和繳費。
ATM轉帳（線上報名）：
繳費方式選擇「ATM轉帳」者，系統將給您一組虛擬帳號「銀行代號、轉帳帳號」，此帳號只提供本次課程轉帳使用，各別學員轉帳請使用不同轉帳帳號。轉帳後，寫上您的「公司全銜、課程名稱、姓名、聯絡電話」與「收據」傳真或E-mail給黃小姐。
信用卡（線上報名）：
繳費方式選「信用卡」，直到顯示「您已完成報名手續」為止，才確實完成繳費。
銀行匯款(公司或個人電匯付款)：
主辦單位將於確認開班後通知您相關匯款帳號，匯款後，寫上您的「公司全銜、課程名稱、姓名、聯絡電話」與「收據」傳真或E-mail黃小姐。
注意事項
1. 為確保您的上課權益，報名後若未收到任何回覆，請來電洽詢方完成報名。
2. 若報名者不克參加者，可指派其他人參加，並於開課前3日通知。
3. 因課前教材、講義及餐點之準備，若您不克前來須取消報名，請於開課前3日以E-mail或電話通知主辦單位聯絡人確認申請退費事宜，學員於開訓前退訓者，將依其申請退還所繳上課費用90％，另於培訓期間若因個人因素無法繼續參與課程，將依上課未逾總時數1/3，退還所繳上課費用之50％，上課逾總時數1/3，恕不退費。
4. 為尊重講師之智慧財產權益，無法提供課程講義電子檔。
5. 為配合講師時間或臨時突發事件，主辦單位有調整日期或更換講師之權利。
6. 因應中央疫情防疫規定，本場次課程將以「實體舉辦」為主，後續將視中央疫情規定保留調整為「線上辦理」之權利，實際上課資訊請依上課通知為準。